APTMC120AM16CD3AG

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	APTMC120AM16CD3AG
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3
Datenblätte:	APTMC120AM16CD3AG.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	166 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 166 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

100 pcs: $182.956

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Spezifikationen von APTMC120AM16CD3AG

Artikelnummer	APTMC120AM16CD3AG	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	166 pcs	Datenblatt	APTMC120AM16CD3AG.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.2V @ 5mA (Typ)	Supplier Device-Gehäuse	D3
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 100A, 20V
Leistung - max	625W	Verpackung	Bulk
Verpackung / Gehäuse	D-3 Module	Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4750pF @ 1000V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	246nC @ 20V	Typ FET	2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Merkmal	Silicon Carbide (SiC)	Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200V (1.2kV)
detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 131A (Tc) 625W Chassis Mount D3	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	131A (Tc)

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