SCT30N120

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	SCT30N120
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247
Datenblätte:	1.SCT30N120.pdf 2.SCT30N120.pdf 3.SCT30N120.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	3149 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3149 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $10.835

30 pcs: $9.544

120 pcs: $8.534

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Spezifikationen von SCT30N120

Artikelnummer	SCT30N120	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	3149 pcs	Datenblatt	1.SCT30N120.pdf 2.SCT30N120.pdf 3.SCT30N120.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.6V @ 1mA (Typ)	Vgs (Max)	+25V, -10V
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)	Supplier Device-Gehäuse	HiP247™
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 20A, 20V
Verlustleistung (max)	270W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-247-3	Andere Namen	497-14960
Betriebstemperatur	-55°C ~ 200°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1700pF @ 400V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	105nC @ 20V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	20V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 1200V 40A (Tc) 270W (Tc) Through Hole HiP247™	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	40A (Tc)

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