STB34N50DM2AG

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STB34N50DM2AG
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 500V 26A
Datenblätte:	STB34N50DM2AG.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	39864 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 39864 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von STB34N50DM2AG

Artikelnummer	STB34N50DM2AG	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 500V 26A	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	39864 pcs	Datenblatt	STB34N50DM2AG.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	D2PAK
Serie	Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2	Rds On (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 12.5A, 10V
Verlustleistung (max)	190W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Andere Namen	497-16135-2
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1850pF @ 100V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	44nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	500V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 500V 26A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D2PAK	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	26A (Tc)

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