STB35N60DM2

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STB35N60DM2
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 600V 28A
Datenblätte:	STB35N60DM2.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	35562 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 35562 pcs

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Spezifikationen von STB35N60DM2

Artikelnummer	STB35N60DM2	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 28A	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	35562 pcs	Datenblatt	STB35N60DM2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	D2PAK
Serie	MDmesh™ DM2	Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 14A, 10V
Verlustleistung (max)	210W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Andere Namen	497-16357-2
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2400pF @ 100V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	54nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 600V 28A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount D2PAK	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	28A (Tc)

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