STB36NF06LT4

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STB36NF06LT4
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
Datenblätte:	STB36NF06LT4.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	154237 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 154237 pcs

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Spezifikationen von STB36NF06LT4

Artikelnummer	STB36NF06LT4	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	154237 pcs	Datenblatt	STB36NF06LT4.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±18V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	D2PAK
Serie	STripFET™ II	Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (max)	70W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Andere Namen	497-6551-2 STB36NF06LT4-ND
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	660pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 5V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 60V 30A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount D2PAK	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	30A (Tc)

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