STB8NM60T4

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STB8NM60T4
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 650V 8A D2PAK
Datenblätte:	STB8NM60T4.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	65298 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 65298 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von STB8NM60T4

Artikelnummer	STB8NM60T4	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 8A D2PAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	65298 pcs	Datenblatt	STB8NM60T4.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	D2PAK
Serie	MDmesh™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1 Ohm @ 2.5A, 10V
Verlustleistung (max)	100W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Andere Namen	497-5386-2 STB8NM60T4-ND
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	400pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 650V 8A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount D2PAK	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	8A (Tc)

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