STB9NK70Z-1

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STB9NK70Z-1
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 700V 7.5A I2PAK
Datenblätte:	STB9NK70Z-1.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	6618 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6618 pcs

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Spezifikationen von STB9NK70Z-1

Artikelnummer	STB9NK70Z-1	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 700V 7.5A I2PAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	6618 pcs	Datenblatt	STB9NK70Z-1.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4.5V @ 100µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	I2PAK
Serie	SuperMESH™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 Ohm @ 4A, 10V
Verlustleistung (max)	115W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1370pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	68nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	700V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 700V 7.5A (Tc) 115W (Tc) Through Hole I2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	7.5A (Tc)

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