STD110NH02LT4

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STD110NH02LT4
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
Datenblätte:	STD110NH02LT4.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	78403 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 78403 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

2500 pcs: $0.458

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Spezifikationen von STD110NH02LT4

Artikelnummer	STD110NH02LT4	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 24V 80A DPAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	78403 pcs	Datenblatt	STD110NH02LT4.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	DPAK
Serie	STripFET™ III	Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 mOhm @ 40A, 10V
Verlustleistung (max)	125W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4450pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	93nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	24V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 24V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount DPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	80A (Tc)

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