STD11NM50N

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STD11NM50N
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 500V 9A DPAK
Datenblätte:	STD11NM50N.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	67952 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 67952 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von STD11NM50N

Artikelnummer	STD11NM50N	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 500V 9A DPAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	67952 pcs	Datenblatt	STD11NM50N.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	DPAK
Serie	MDmesh™ II	Rds On (Max) @ Id, Vgs	470 mOhm @ 4.5A, 10V
Verlustleistung (max)	70W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Andere Namen	497-10567-2
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	547pF @ 50V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	500V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 500V 8.5A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount DPAK	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	8.5A (Tc)

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