STFI11N65M2

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STFI11N65M2
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 650V 7A I2PAKFP
Datenblätte:	STFI11N65M2.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	6469 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6469 pcs

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Spezifikationen von STFI11N65M2

Artikelnummer	STFI11N65M2	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 7A I2PAKFP	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	6469 pcs	Datenblatt	STFI11N65M2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	I2PAKFP (TO-281)
Serie	MDmesh™ II Plus	Rds On (Max) @ Id, Vgs	670 mOhm @ 3.5A, 10V
Verlustleistung (max)	25W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Andere Namen	497-15038-5
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	410pF @ 100V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12.5nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 650V 7A (Tc) 25W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281)	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	7A (Tc)

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