STFI12N60M2

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STFI12N60M2
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 600V 9A I2PAK-FP
Datenblätte:	STFI12N60M2.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	45948 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 45948 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.681

10 pcs: $0.616

100 pcs: $0.495

500 pcs: $0.385

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Spezifikationen von STFI12N60M2

Artikelnummer	STFI12N60M2	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 9A I2PAK-FP	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	45948 pcs	Datenblatt	STFI12N60M2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	I2PAKFP (TO-281)
Serie	MDmesh™ M2	Rds On (Max) @ Id, Vgs	450 mOhm @ 4.5A, 10V
Verlustleistung (max)	25W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Andere Namen	497-16015-5
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	538pF @ 100V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 600V 9A (Tc) 25W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281)	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	9A (Tc)

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