STH3N150-2

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STH3N150-2
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK-2
Datenblätte:	STH3N150-2.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	12878 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 12878 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $2.912

10 pcs: $2.621

100 pcs: $2.155

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Spezifikationen von STH3N150-2

Artikelnummer	STH3N150-2	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK-2	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	12878 pcs	Datenblatt	STH3N150-2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	H²PAK
Serie	PowerMESH™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 Ohm @ 1.3A, 10V
Verlustleistung (max)	140W (Tc)	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant	Andere Namen	497-13876-1
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	939pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29.3nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	1500V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 1500V 2.5A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount H²PAK	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2.5A (Tc)

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