STH52N10LF3-2AG

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STH52N10LF3-2AG
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 100V 52A H2PAK-2
Datenblätte:
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	87392 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 87392 pcs

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Spezifikationen von STH52N10LF3-2AG

Artikelnummer	STH52N10LF3-2AG	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 52A H2PAK-2	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	87392 pcs	Datenblatt
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	H2Pak-2
Serie	STripFET™ F3	Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 26A, 10V
Verlustleistung (max)	110W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1900pF @ 400V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18.5nC @ 5V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 100V 52A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	52A (Tc)

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