STH80N10F7-2

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STH80N10F7-2
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2
Datenblätte:	STH80N10F7-2.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	60886 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 60886 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von STH80N10F7-2

Artikelnummer	STH80N10F7-2	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	60886 pcs	Datenblatt	STH80N10F7-2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	H2Pak-2
Serie	DeepGATE™, STripFET™ VII	Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5 mOhm @ 40A, 10V
Verlustleistung (max)	110W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Andere Namen	497-14980-2
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3100pF @ 50V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 100V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount H2Pak-2	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	80A (Tc)

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