STI33N65M2

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STI33N65M2
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK
Datenblätte:	STI33N65M2.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	28565 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 28565 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $1.335

50 pcs: $1.072

100 pcs: $0.977

500 pcs: $0.791

1000 pcs: $0.667

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Spezifikationen von STI33N65M2

Artikelnummer	STI33N65M2	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	28565 pcs	Datenblatt	STI33N65M2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	I2PAK
Serie	MDmesh™ M2	Rds On (Max) @ Id, Vgs	140 mOhm @ 12A, 10V
Verlustleistung (max)	190W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Andere Namen	497-15551-5
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1790pF @ 100V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	41.5nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 650V 24A (Tc) 190W (Tc) Through Hole I2PAK	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	24A (Tc)

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Nach dem Verkauf
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