STI400N4F6

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STI400N4F6
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Datenblätte:	STI400N4F6.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	14150 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 14150 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $2.149

10 pcs: $1.919

100 pcs: $1.573

500 pcs: $1.274

1000 pcs: $1.074

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Spezifikationen von STI400N4F6

Artikelnummer	STI400N4F6	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	14150 pcs	Datenblatt	STI400N4F6.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	I2PAK (TO-262)
Serie	DeepGATE™, STripFET™ VI	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.7 mOhm @ 60A, 10V
Verlustleistung (max)	300W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Andere Namen	497-14566-5 STI400N4F6-ND
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	20000pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	377nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	40V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 40V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	120A (Tc)

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★ Lieferzeit dauert 2-4 Tage in die meisten Länder der Welt durch DHL / UPS / FEDEX / TNT.

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