STP11N65M5

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STP11N65M5
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N CH 650V 9A TO-220
Datenblätte:	STP11N65M5.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	60685 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 60685 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von STP11N65M5

Artikelnummer	STP11N65M5	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N CH 650V 9A TO-220	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	60685 pcs	Datenblatt	STP11N65M5.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220
Serie	MDmesh™ V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	480 mOhm @ 4.5A, 10V
Verlustleistung (max)	85W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3	Andere Namen	497-13170
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	644pF @ 100V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 650V 9A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-220	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	9A (Tc)

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Nach dem Verkauf
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