STP11NM60

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STP11NM60
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
Datenblätte:	STP11NM60.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	45994 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 45994 pcs

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Spezifikationen von STP11NM60

Artikelnummer	STP11NM60	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 11A TO-220	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	45994 pcs	Datenblatt	STP11NM60.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220AB
Serie	MDmesh™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	450 mOhm @ 5.5A, 10V
Verlustleistung (max)	160W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3	Andere Namen	497-2773-5
Betriebstemperatur	-65°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1000pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 650V 11A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220AB	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	11A (Tc)

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