STU5N65M6

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STU5N65M6
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CHANNEL 650V 4A IPAK
Datenblätte:
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	149567 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 149567 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von STU5N65M6

Artikelnummer	STU5N65M6	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CHANNEL 650V 4A IPAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	149567 pcs	Datenblatt
VGS (th) (Max) @ Id	3.75V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	I-PAK
Serie	MDmesh™ M6	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.3 Ohm @ 2A, 10V
Verlustleistung (max)	45W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	170pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.1nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 650V 4A (Tc) 45W (Tc) Through Hole I-PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	4A (Tc)

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