STU6N60M2

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STU6N60M2
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 600V IPAK
Datenblätte:	STU6N60M2.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	64844 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 64844 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.537

75 pcs: $0.43

150 pcs: $0.376

525 pcs: $0.292

1050 pcs: $0.23

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Spezifikationen von STU6N60M2

Artikelnummer	STU6N60M2	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V IPAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	64844 pcs	Datenblatt	STU6N60M2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	I-PAK
Serie	MDmesh™ II Plus	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 Ohm @ 2.25A, 10V
Verlustleistung (max)	60W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Andere Namen	497-13978-5 STU6N60M2-ND
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	232pF @ 100V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13.5nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 600V 4.5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole I-PAK	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	4.5A (Tc)

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