STV160NF03LAT4

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STV160NF03LAT4
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10
Datenblätte:	STV160NF03LAT4.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	21676 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 21676 pcs

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Spezifikationen von STV160NF03LAT4

Artikelnummer	STV160NF03LAT4	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	21676 pcs	Datenblatt	STV160NF03LAT4.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	±15V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	10-PowerSO
Serie	STripFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 mOhm @ 80A, 10V
Verlustleistung (max)	210W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	3 (168 Hours)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	5350pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	160nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 30V 160A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount 10-PowerSO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	160A (Tc)

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