STV250N55F3

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STV250N55F3
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 55V 250A POWERSO-10
Datenblätte:	STV250N55F3.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	19293 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 19293 pcs

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Spezifikationen von STV250N55F3

Artikelnummer	STV250N55F3	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 55V 250A POWERSO-10	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	19293 pcs	Datenblatt	STV250N55F3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	10-PowerSO
Serie	STripFET™ III	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2 mOhm @ 75A, 10V
Verlustleistung (max)	300W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	Andere Namen	497-7030-2
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	6800pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	100nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	55V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 55V 200A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount 10-PowerSO	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	200A (Tc)

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