STW25N80K5

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STW25N80K5
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 800V 19.5A TO247
Datenblätte:	STW25N80K5.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	11599 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 11599 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von STW25N80K5

Artikelnummer	STW25N80K5	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 19.5A TO247	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	11599 pcs	Datenblatt	STW25N80K5.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 100µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-247
Serie	SuperMESH5™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	260 mOhm @ 19.5A, 10V
Verlustleistung (max)	250W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-247-3	Andere Namen	497-13659-5
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1600pF @ 100V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	800V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 800V 19.5A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	19.5A (Tc)

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