STW26N60M2

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STW26N60M2
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Datenblätte:	STW26N60M2.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	31574 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 31574 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

600 pcs: $0.939

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Spezifikationen von STW26N60M2

Artikelnummer	STW26N60M2	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 20A TO247	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	31574 pcs	Datenblatt	STW26N60M2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-247 (IXFH)
Serie	MDmesh™ M2	Rds On (Max) @ Id, Vgs	165 mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max)	169W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-247-3	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1360pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	34nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 600V 20A (Tc) 169W (Tc) Through Hole TO-247 (IXFH)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	20A (Tc)

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