STW35N60M2-EP

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STW35N60M2-EP
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET
Datenblätte:
Zustand des Lagers	28630 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 28630 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

600 pcs: $1.207

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Spezifikationen von STW35N60M2-EP

Artikelnummer	STW35N60M2-EP	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET	Bleifreier Status / RoHS Status
Verfügbare Menge	28630 pcs	Datenblatt
VGS (th) (Max) @ Id	-	Vgs (Max)	-
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-247
Serie	MDmesh™ M2-EP	Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Verlustleistung (max)	-	Verpackung / Gehäuse	TO-247-3
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	-	Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 600V Through Hole TO-247	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	-

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Nach dem Verkauf
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