STW36NM60N

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STW36NM60N
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 600V 29A TO-247
Datenblätte:	STW36NM60N.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	3472 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3472 pcs

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Spezifikationen von STW36NM60N

Artikelnummer	STW36NM60N	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 29A TO-247	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	3472 pcs	Datenblatt	STW36NM60N.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-247-3
Serie	MDmesh™ II	Rds On (Max) @ Id, Vgs	105 mOhm @ 14.5A, 10V
Verlustleistung (max)	210W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-247-3	Andere Namen	497-12369
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2722pF @ 100V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	83.6nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 600V 29A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-247-3	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	29A (Tc)

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