FDC6333C

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDC6333C
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A SSOT6
Datenblätte:	FDC6333C.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	545905 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 545905 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von FDC6333C

Artikelnummer	FDC6333C	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A SSOT6	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	545905 pcs	Datenblatt	FDC6333C.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Supplier Device-Gehäuse	SuperSOT™-6
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	95 mOhm @ 2.5A, 10V
Leistung - max	700mW	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Andere Namen	FDC6333CTR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	282pF @ 15V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.6nC @ 10V
Typ FET	N and P-Channel	FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.5A, 2A 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2.5A, 2A

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