FDC636P

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDC636P
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET P-CH 20V 2.8A SSOT-6
Datenblätte:	FDC636P.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	3238 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3238 pcs

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Spezifikationen von FDC636P

Artikelnummer	FDC636P	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 2.8A SSOT-6	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	3238 pcs	Datenblatt	FDC636P.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	SuperSOT™-6
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	130 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Verlustleistung (max)	1.6W (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Andere Namen	FDC636P-ND FDC636PTR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	390pF @ 10V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.5nC @ 4.5V
Typ FET	P-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
detaillierte Beschreibung	P-Channel 20V 2.8A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2.8A (Ta)

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