FDC637AN

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDC637AN
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 20V 6.2A SSOT-6
Datenblätte:	FDC637AN.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	104667 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 104667 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.274

10 pcs: $0.239

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500 pcs: $0.136

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Spezifikationen von FDC637AN

Artikelnummer	FDC637AN	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 20V 6.2A SSOT-6	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	104667 pcs	Datenblatt	FDC637AN.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	SuperSOT™-6
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	24 mOhm @ 6.2A, 4.5V
Verlustleistung (max)	1.6W (Ta)	Verpackung	Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Andere Namen	FDC637ANDKR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1125pF @ 10V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 4.5V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 20V 6.2A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	6.2A (Ta)

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