FDP045N10A

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDP045N10A
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 100V 120A TO-220-3
Datenblätte:	FDP045N10A.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	3739 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3739 pcs

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Spezifikationen von FDP045N10A

Artikelnummer	FDP045N10A	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 120A TO-220-3	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	3739 pcs	Datenblatt	FDP045N10A.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220-3
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5 mOhm @ 100A, 10V
Verlustleistung (max)	263W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3	Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	5270pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	74nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 100V 120A (Tc) 263W (Tc) Through Hole TO-220-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	120A (Tc)

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