FDP047AN08A0

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDP047AN08A0
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB
Datenblätte:	1.FDP047AN08A0.pdf 2.FDP047AN08A0.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	27852 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 27852 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $1.222

10 pcs: $1.106

100 pcs: $0.888

800 pcs: $0.624

1600 pcs: $0.572

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Spezifikationen von FDP047AN08A0

Artikelnummer	FDP047AN08A0	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	27852 pcs	Datenblatt	1.FDP047AN08A0.pdf 2.FDP047AN08A0.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220-3
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.7 mOhm @ 80A, 10V
Verlustleistung (max)	310W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3	Andere Namen	FDP047AN08A0-ND FDP047AN08A0FS
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	6600pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	138nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	75V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 75V 15A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-220-3	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	15A (Tc)

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