FDP047N08-F102

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDP047N08-F102
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3
Datenblätte:	FDP047N08-F102.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	51234 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 51234 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von FDP047N08-F102

Artikelnummer	FDP047N08-F102	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	51234 pcs	Datenblatt	FDP047N08-F102.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220-3
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.7 Ohm @ 80A, 10V
Verlustleistung (max)	268W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3	Andere Namen	FDP047N08_F102 FDP047N08_F102-ND
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	9415pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	152nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	75V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 75V 164A (Tc) 268W (Tc) Through Hole TO-220-3	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	164A (Tc)

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