DMN6013LFG-7

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMN6013LFG-7
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8
Datenblätte:	DMN6013LFG-7.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	271827 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 271827 pcs

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Spezifikationen von DMN6013LFG-7

Artikelnummer	DMN6013LFG-7	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	271827 pcs	Datenblatt	DMN6013LFG-7.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	PowerDI3333-8
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	13 mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max)	1W (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerWDFN	Andere Namen	DMN6013LFG-7DITR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2577pF @ 30V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	55.4nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 60V 10.3A (Ta), 45A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	10.3A (Ta), 45A (Tc)

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