DMN6017SK3-13

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMN6017SK3-13
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N-CHANNEL 60V 43A TO252
Datenblätte:	DMN6017SK3-13.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	330088 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 330088 pcs

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Artikelnummer	DMN6017SK3-13	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N-CHANNEL 60V 43A TO252	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	330088 pcs	Datenblatt	DMN6017SK3-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-252, (D-Pak)
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 6A, 10V
Verlustleistung (max)	50W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2711pF @ 15V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	55nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 60V 43A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	43A (Tc)

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