DMN6013LFGQ-13

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMN6013LFGQ-13
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI
Datenblätte:	DMN6013LFGQ-13.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	250705 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 250705 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von DMN6013LFGQ-13

Artikelnummer	DMN6013LFGQ-13	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	250705 pcs	Datenblatt	DMN6013LFGQ-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	PowerDI3333-8
Serie	Automotive, AEC-Q101	Rds On (Max) @ Id, Vgs	13 mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max)	1W (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerVDFN	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2577pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	55.4nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 60V 10.3A (Ta), 45A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	10.3A (Ta), 45A (Tc)

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