ZXMC4559DN8TA

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	ZXMC4559DN8TA
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC
Datenblätte:	ZXMC4559DN8TA.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	68737 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 68737 pcs

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Spezifikationen von ZXMC4559DN8TA

Artikelnummer	ZXMC4559DN8TA	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	68737 pcs	Datenblatt	ZXMC4559DN8TA.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA (Min)	Supplier Device-Gehäuse	8-SO
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	55 mOhm @ 4.5A, 10V
Leistung - max	1.25W	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Andere Namen	ZXMC4559DN8CT ZXMC4559DN8TA-ND
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1063pF @ 30V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20.4nC @ 10V
Typ FET	N and P-Channel	FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array N and P-Channel 60V 3.6A, 2.6A 1.25W Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	3.6A, 2.6A

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