ZXMC4559DN8TC

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	ZXMC4559DN8TC
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Datenblätte:	ZXMC4559DN8TC.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	45020 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 45020 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.646

10 pcs: $0.582

100 pcs: $0.468

500 pcs: $0.364

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Artikelnummer	ZXMC4559DN8TC	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	45020 pcs	Datenblatt	ZXMC4559DN8TC.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA (Min)	Supplier Device-Gehäuse	8-SO
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	55 mOhm @ 4.5A, 10V
Leistung - max	2.1W	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Andere Namen	ZXMC4559DN8TCDICT
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1063pF @ 30V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20.4nC @ 10V
Typ FET	N and P-Channel	FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array N and P-Channel 60V 3.6A, 2.6A 2.1W Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	3.6A, 2.6A

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