ZXMC3A17DN8TC

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	ZXMC3A17DN8TC
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Datenblätte:	ZXMC3A17DN8TC.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	5183 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5183 pcs

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Spezifikationen von ZXMC3A17DN8TC

Artikelnummer	ZXMC3A17DN8TC	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	5183 pcs	Datenblatt	ZXMC3A17DN8TC.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA (Min)	Supplier Device-Gehäuse	8-SOP
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 7.8A, 10V
Leistung - max	1.25W	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	600pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12.2nC @ 10V	Typ FET	N and P-Channel
FET-Merkmal	Logic Level Gate	Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
detaillierte Beschreibung	Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.1A, 3.4A 1.25W Surface Mount 8-SOP	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	4.1A, 3.4A

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