DMTH43M8LPSQ-13

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMTH43M8LPSQ-13
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFETN-CH 40VPOWERDI5060-8
Datenblätte:	DMTH43M8LPSQ-13.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	66214 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 66214 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.516

10 pcs: $0.458

100 pcs: $0.362

500 pcs: $0.281

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Spezifikationen von DMTH43M8LPSQ-13

Artikelnummer	DMTH43M8LPSQ-13	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFETN-CH 40VPOWERDI5060-8	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	66214 pcs	Datenblatt	DMTH43M8LPSQ-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	PowerDI5060-8
Serie	Automotive, AEC-Q101	Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.3 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)	2.7W (Ta)	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerTDFN	Andere Namen	DMTH43M8LPSQ-13DICT
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3.367nF @ 20V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	49nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	40V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 40V 22A (Ta), 100A (Tc) 2.7W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	22A (Ta), 100A (Tc)

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