DMTH6004SCTBQ-13

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMTH6004SCTBQ-13
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 60V 100A TO263
Datenblätte:	DMTH6004SCTBQ-13.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	29371 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 29371 pcs

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Spezifikationen von DMTH6004SCTBQ-13

Artikelnummer	DMTH6004SCTBQ-13	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 100A TO263	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	29371 pcs	Datenblatt	DMTH6004SCTBQ-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-263AB
Serie	Automotive, AEC-Q101	Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.4 mOhm @ 100A, 10V
Verlustleistung (max)	4.7W (Ta), 136W (Tc)	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Andere Namen	DMTH6004SCTBQ-13DICT
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4556pF @ 30V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	95.4nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 60V 100A (Tc) 4.7W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-263AB	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	100A (Tc)

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