DMTH6004LPSQ-13

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMTH6004LPSQ-13
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060
Datenblätte:	DMTH6004LPSQ-13.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	116820 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 116820 pcs

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Spezifikationen von DMTH6004LPSQ-13

Artikelnummer	DMTH6004LPSQ-13	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	116820 pcs	Datenblatt	DMTH6004LPSQ-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	PowerDI5060-8
Serie	Automotive, AEC-Q101	Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.1 mOhm @ 25A, 10V
Verlustleistung (max)	2.6W (Ta), 138W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerTDFN	Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4515pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	47.4nC @ 4.5V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 60V 100A (Ta) 2.6W (Ta), 138W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	100A (Ta)

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