DMTH6002LPS-13

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMTH6002LPS-13
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060
Datenblätte:	DMTH6002LPS-13.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	128446 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 128446 pcs

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Spezifikationen von DMTH6002LPS-13

Artikelnummer	DMTH6002LPS-13	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	128446 pcs	Datenblatt	DMTH6002LPS-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	PowerDI5060-8
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (max)	167W	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerTDFN	Andere Namen	DMTH6002LPS-13-ND
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	6555pF @ 30V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	130.8nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 60V 100A (Tc) 167W Surface Mount PowerDI5060-8	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	100A (Tc)

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