ZXM66P02N8TC

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	ZXM66P02N8TC
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SOIC
Datenblätte:	ZXM66P02N8TC.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	4264 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4264 pcs

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Spezifikationen von ZXM66P02N8TC

Artikelnummer	ZXM66P02N8TC	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SOIC	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4264 pcs	Datenblatt	ZXM66P02N8TC.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA	Vgs (Max)	±12V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	8-SO
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Verlustleistung (max)	1.56W (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2068pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	43.3nC @ 4.5V	Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V	detaillierte Beschreibung	P-Channel 20V 6.4A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	6.4A (Ta)

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