ZXMC3A16DN8TC

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	ZXMC3A16DN8TC
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Datenblätte:	ZXMC3A16DN8TC.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	50073 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 50073 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.583

10 pcs: $0.516

100 pcs: $0.408

500 pcs: $0.316

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Spezifikationen von ZXMC3A16DN8TC

Artikelnummer	ZXMC3A16DN8TC	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	50073 pcs	Datenblatt	ZXMC3A16DN8TC.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA (Min)	Supplier Device-Gehäuse	8-SO
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 9A, 10V
Leistung - max	1.25W	Verpackung	Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Andere Namen	ZXMC3A16DN8TCDKR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	796pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17.5nC @ 10V
Typ FET	N and P-Channel	FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.9A, 4.1A 1.25W Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	4.9A, 4.1A

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