ZXM66P03N8TA

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	ZXM66P03N8TA
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-SOIC
Datenblätte:	ZXM66P03N8TA.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	3039 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3039 pcs

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Spezifikationen von ZXM66P03N8TA

Artikelnummer	ZXM66P03N8TA	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-SOIC	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	3039 pcs	Datenblatt	ZXM66P03N8TA.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	8-SO
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 5.6A, 10V
Verlustleistung (max)	1.56W (Ta)	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Andere Namen	ZXM66P03N8CT
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1979pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	36nC @ 5V
Typ FET	P-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
detaillierte Beschreibung	P-Channel 30V 6.25A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	6.25A (Ta)

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